IPP100N10S305AKSA1-HXY

IPP100N10S305AKSA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换及功率管理场景。器件结构支持快速开关操作，在高频工作条件下仍能保持较低的功率损耗，适合用于各类高效能电子系统中的功率开关功能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP100N10S305AKSA1-HXY

商品编号

C53262921

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.832克(g)