DMTH10H009SPS-13-HXY

DMTH10H009SPS-13-HXY

描述

该N沟道MOSFET的漏源电压（VDSS）为100V，最大连续漏极电流（ID）达75A，在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）低至7.3毫欧。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，适用于高效率电源转换、电机驱动及高频开关等电路应用。器件在大电流条件下仍能保持良好的热稳定性和开关特性，适合对功率密度和能效有较高要求的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH10H009SPS-13-HXY

商品编号

C53262926

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.137克(g)