DMTH10H009SPSW-13-HXY

DMTH10H009SPSW-13-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备100V的漏源电压（VDSS）额定值，最大连续漏极电流（ID）达75A，在栅源电压（VGS）为20V时导通电阻（RDS(ON)）仅为7.3毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高电流、高频率的电源管理、电机控制及开关转换等电路拓扑中，其电气特性支持快速开关动作与稳定工作性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

DMTH10H009SPSW-13-HXY

商品编号

C53262925

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.136克(g)