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DMT10H009LPSW-13-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道MOSFET的额定漏极电流（ID）为75A，漏源击穿电压（VDSS）为100V，导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。其低导通电阻特性有助于显著降低导通状态下的功率损耗，适用于高电流、高效率要求的电源转换、电机控制、电池管理系统及各类开关电源拓扑结构。器件在高频开关操作中表现出良好的动态性能，适合对热管理和能效有较高需求的电子应用场合。
- 商品型号
- DMT10H009LPSW-13-HXY
- 商品编号
- C53262923
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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