FDP047N10-HXY

FDP047N10-HXY

描述

该N沟道MOSFET具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其超低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统整体效率，适用于高电流密度和高效率要求的电源转换、电机驱动及大功率开关电路等应用场合。器件在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDP047N10-HXY

商品编号

C53262918

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.822克(g)