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STP180N10F3-HXY
N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGTMOSFET技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关速度与导通性能之间的平衡，适合在高负载条件下稳定运行。
- 商品型号
- STP180N10F3-HXY
- 商品编号
- C53262919
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.838克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 592pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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