温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
STP180N10F3-HXY
STP180N10F3-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关速度与导通性能之间的平衡，适合在高负载条件下稳定运行。
- 商品型号
- STP180N10F3-HXY
- 商品编号
- C53262919
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.838克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- DMTH10H005LCT-HXY
- IPP100N10S305AKSA1-HXY
- IAUCN10S7L040ATMA1-HXY
- DMT10H009LPSW-13-HXY
- DMT10H009SPSW-13-HXY
- DMTH10H009SPSW-13-HXY
- DMTH10H009SPS-13-HXY
- DMTH10H009SPSQ-13-HXY
- DMTH10H009LPSQ-13-HXY
- DMTH10H009SPSWQ-13-HXY
- DMTH10H009LPSWQ-13-HXY
- DMTH10H010LPSW-13-HXY
- DMT10H4M5LPSW-13-HXY
- SIR846ADP-T1-RE3-HXY
- DMT10H4M5LPS-13-HXY
- SIR5102DP-T1-BE3-HXY
- DMTH10H4M5LPS-13-HXY
- AOT296L
- DIT085N10-HXY
- IPP045N10N3GHKSA1-HXY
- NVMFS6B05NT1G-HXY