STP180N10F3-HXY

STP180N10F3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构优化了开关速度与导通性能之间的平衡，适合在高负载条件下稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP180N10F3-HXY

商品编号

C53262919

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.838克(g)