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BSC082N10LSGATMA1-HXY
BSC082N10LSGATMA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、7.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其较低的导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统效率。适用于对功率密度和热性能有较高要求的应用场景，如开关电源、电机驱动、电池管理系统及高效率功率转换装置，在高频或持续大电流工作条件下可保持稳定运行。
- 商品型号
- BSC082N10LSGATMA1-HXY
- 商品编号
- C53262915
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.125克(g)
商品参数
参数完善中
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