FDP4D5N10C-HXY

FDP4D5N10C-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低的温升。适用于对效率、热管理和功率密度要求较高的电源转换、电机驱动及大电流开关应用，能够在高频操作中保持稳定的电气性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDP4D5N10C-HXY

商品编号

C53262908

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.828克(g)