温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
FDP4D5N10C-HXY
N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至4.1毫欧。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持较低的温升。适用于对效率、热管理和功率密度要求较高的电源转换、电机驱动及大电流开关应用，能够在高频操作中保持稳定的电气性能。
- 商品型号
- FDP4D5N10C-HXY
- 商品编号
- C53262908
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.828克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.1mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 178W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 69nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4.102nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 19.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 592pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
相似推荐
其他推荐
- SUP85N10-10-GE3-HXY
- DMTH10H009LPS-13-HXY
- SIR516DP-T1-BE3-HXY
- AMR448N-CT-HXY
- BUK7510-100B-HXY
- NTMFS6B05NT1G-HXY
- BSC082N10LSGATMA1-HXY
- SQP120N10-09_GE3-HXY
- FDP100N10-HXY
- FDP047N10-HXY
- STP180N10F3-HXY
- DMTH10H005LCT-HXY
- IPP100N10S305AKSA1-HXY
- IAUCN10S7L040ATMA1-HXY
- DMT10H009LPSW-13-HXY
- DMT10H009SPSW-13-HXY
- DMTH10H009SPSW-13-HXY
- DMTH10H009SPS-13-HXY
- DMTH10H009SPSQ-13-HXY
- DMTH10H009LPSQ-13-HXY
- DMTH10H009SPSWQ-13-HXY