SUP85N10-10-GE3-HXY

SUP85N10-10-GE3-HXY

描述

该N沟道MOSFET具备70A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至8.5毫欧，在栅源电压达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、电机驱动及高频开关等应用场景。器件结构设计兼顾高电流承载与快速开关特性，适合在需要高效能功率控制的电子系统中使用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SUP85N10-10-GE3-HXY

商品编号

C53262909

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.028克(g)