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SIR516DP-T1-BE3-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备75A的漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.4毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作时显著降低功率损耗，提升系统整体效率。器件适用于高效率电源管理、电机控制、不间断电源及各类需要高电流承载能力与快速开关响应的电子设备中，能够在持续高负载条件下保持稳定运行。
- 商品型号
- SIR516DP-T1-BE3-HXY
- 商品编号
- C53262911
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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