温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIR516DP-T1-BE3-HXY

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道MOSFET具备75A的漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.4毫欧。低导通电阻有助于在大电流工作时显著降低功率损耗，提升系统整体效率。器件适用于高效率电源管理、电机控制、不间断电源及各类需要高电流承载能力与快速开关响应的电子设备中，能够在持续高负载条件下保持稳定运行。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: SIR516DP-T1-BE3-HXY
商品编号: C53262911
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.13克(g)

商品参数

参数完善中