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AMR448N-CT-HXY
AMR448N-CT-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流和100V的漏源电压额定值，导通电阻仅为3.6毫欧。低RDS(ON)有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体效率。器件适用于高电流、高频率的电源转换场合，能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性，适合用于对能效和空间有较高要求的电子系统中的功率开关功能。
- 商品型号
- AMR448N-CT-HXY
- 商品编号
- C53262912
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.145克(g)
商品参数
参数完善中
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