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DMTH10H009LPS-13-HXY
DMTH10H009LPS-13-HXY
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- 描述
- 该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻仅为6.4毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高效率电源转换、电机驱动以及高频开关电路等场合，在大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和开关性能，满足对紧凑布局和高功率密度有要求的电子系统设计需求。
- 商品型号
- DMTH10H009LPS-13-HXY
- 商品编号
- C53262910
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
参数完善中
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