SIR5102DP-T1-RE3-HXY

SIR5102DP-T1-RE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.6毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的电源转换、电机驱动及高功率开关场景。器件结构优化了开关速度与导通特性之间的平衡，在高频工作条件下仍能保持较低的功耗，适合用于各类高效能电子系统中的功率管理与控制环节。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIR5102DP-T1-RE3-HXY

商品编号

C53262904

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.145克(g)