SIR846DP-T1-GE3-HXY

SIR846DP-T1-GE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为6.4毫欧，适用于高效率电源管理与大电流开关场合。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升系统能效。器件在高频开关操作中表现出良好的动态特性，适合用于对热性能和空间布局有较高要求的电子设备中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIR846DP-T1-GE3-HXY

商品编号

C53262907

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)