SUP85N10-10-E3-HXY

SUP85N10-10-E3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至8.5毫欧，栅源驱动电压（VGS）最大可达20V。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体效率，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换与开关应用场景。器件结构支持高电流承载能力，在高频开关条件下仍能保持稳定工作特性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SUP85N10-10-E3-HXY

商品编号

C53262906

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.978克(g)