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STP120NF10-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具备70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的最大栅源电压（VGS）。其参数组合使其在中等功率应用中具有良好的导通特性和电压耐受能力。较低的RDS(ON)有助于控制导通损耗，适用于开关电源、电机驱动及高效能电源转换等场景，在保障可靠运行的同时支持较高的开关频率。
- 商品型号
- STP120NF10-HXY
- 商品编号
- C53262905
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.998克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 100W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 31.3nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 1.368nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.9pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 451pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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