IPP050N10NF2SAKMA1-HXY

IPP050N10NF2SAKMA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。低导通电阻有助于减少导通状态下的功率损耗，提升整体能效。其高电流处理能力与适中的耐压等级，适用于高效率电源转换、电机控制及大电流开关等场景，在保障稳定运行的同时支持紧凑型电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP050N10NF2SAKMA1-HXY

商品编号

C53262902

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.832克(g)