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FDMS10C4D2N-HXY
FDMS10C4D2N-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS），以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，同时支持高电流密度工作。适用于高功率电源转换、电机驱动和高频开关等应用场合，能够在紧凑布局中实现良好的热性能与电气稳定性。
- 商品型号
- FDMS10C4D2N-HXY
- 商品编号
- C53262903
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.135克(g)
商品参数
参数完善中
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