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IPP045N10N3GXKSA1-HXY
IPP045N10N3GXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS），以及4.1毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下维持较低的温升。器件适用于开关电源、电机驱动、电池充放电控制等对效率和热性能要求较高的电子系统，能够在持续大电流或高频开关应用中提供稳定可靠的运行特性。
- 商品型号
- IPP045N10N3GXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53262898
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.84898克(g)
商品参数
参数完善中
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