FDP045N10A-F102-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

描述

该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为4.1毫欧。低导通电阻有助于在高电流工作条件下显著降低功率损耗，提升整体能效。器件适用于需要高效开关性能和高电流承载能力的电路，如电源管理模块、电机控制单元及各类直流转换系统。其电气特性使其在频繁开关操作中仍能保持稳定可靠的性能表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FDP045N10A-F102-HXY

商品编号

C53262899

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

2.824克(g)