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SIR516DP-T1-RE3-HXY
N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性
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- 描述
- 该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至6.4毫欧。其低导通电阻有效减少导通损耗，适用于高效率电源转换、电机驱动、电池管理系统及大电流开关应用。器件支持快速开关操作，在高频工作条件下仍能维持较低的温升和稳定的电气性能，适合对功率密度和热管理有较高要求的电子系统。
- 商品型号
- SIR516DP-T1-RE3-HXY
- 商品编号
- C53262901
- 商品封装
- DFN-8L(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.14克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 97W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 39.4nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 2.944nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.04pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 736pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
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