SIR516DP-T1-RE3-HXY

SIR516DP-T1-RE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻低至6.4毫欧。其低导通电阻有效减少导通损耗，适用于高效率电源转换、电机驱动、电池管理系统及大电流开关应用。器件支持快速开关操作，在高频工作条件下仍能维持较低的温升和稳定的电气性能，适合对功率密度和热管理有较高要求的电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIR516DP-T1-RE3-HXY

商品编号

C53262901

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)