SIR5108DP-T1-RE3-HXY

SIR5108DP-T1-RE3-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流和100V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为6.4毫欧。低导通电阻有助于显著降低导通状态下的功率损耗，提升系统效率。适用于高电流开关电源、电机控制、不间断电源及各类高效能电力电子转换场合。其电气特性支持快速开关动作，在高频工作条件下仍能保持良好的热稳定性和可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIR5108DP-T1-RE3-HXY

商品编号

C53262900

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.14克(g)