IAUCN10S7N040ATMA1-HXY

IAUCN10S7N040ATMA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备120A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为3.6毫欧。其低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，有助于提升系统效率并减少散热需求。适用于高电流开关电源、电机控制、电池管理系统及各类需要高效能功率开关的电子装置，在频繁开关或持续大电流工作条件下仍能保持稳定性能。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IAUCN10S7N040ATMA1-HXY

商品编号

C53262897

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.1345克(g)