IRFB4410PBF-HXY

IRFB4410PBF-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的栅源电压（VGS）额定值。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，同时支持高电流通过能力。器件适用于高效率开关电源、电机驱动、直流-直流转换器等应用，在高频开关操作中可维持良好的性能与热稳定性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IRFB4410PBF-HXY

商品编号

C53262895

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.048克(g)