IRFB4410PBF-HXY

N-SGT增强型MOSFET，采用先进SGT MOSFET技术，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

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描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具有70A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、8.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)），以及20V的栅源电压（VGS）额定值。低导通电阻有助于降低导通状态下的功率损耗，同时支持高电流通过能力。器件适用于高效率开关电源、电机驱动、直流-直流转换器等应用，在高频开关操作中可维持良好的性能与热稳定性。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IRFB4410PBF-HXY
商品编号: C53262895
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 3.048克(g)

商品参数