IAUCN10S7N074ATMA1-HXY

IAUCN10S7N074ATMA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。其高电流承载能力与低导通损耗特性，使其适用于对效率和热性能要求较高的功率转换场合。器件结构支持快速开关操作，在电源管理、电机驱动及高频逆变等应用中可有效降低功耗并提升系统响应速度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IAUCN10S7N074ATMA1-HXY

商品编号

C53262893

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.141414克(g)