BSC040N10NS5ATMA1-HXY

BSC040N10NS5ATMA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具有120A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）以及3.6毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。低导通电阻使其在大电流工作条件下显著降低导通损耗，提升整体能效。适用于高功率密度的开关电源、电机驱动、不间断电源及各类高效电力转换系统。器件在高频开关应用中表现出良好的动态性能和热稳定性，适合对效率与空间布局有较高要求的电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

BSC040N10NS5ATMA1-HXY

商品编号

C53262891

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.160606克(g)