ISC080N10NM6ATMA1-HXY

ISC080N10NM6ATMA1-HXY

描述

该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、7.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在大电流应用中有效降低功率损耗，提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效能电力电子设备。在合理驱动条件下，可实现快速开关响应与良好的热稳定性，满足对紧凑布局和高可靠性有要求的电路设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

ISC080N10NM6ATMA1-HXY

商品编号

C53262890

商品封装

DFN-8L(5x6)​

包装方式

编带

商品毛重

0.152525克(g)