ISC080N10NM6ATMA1-HXY

N-SGT增强型MOSFET，具备低导通电阻、低栅极电荷、快速开关和出色雪崩特性

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 该N沟道场效应管（MOSFET）具备75A的连续漏极电流（ID）、100V的漏源击穿电压（VDSS）、7.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其低导通电阻有助于在大电流应用中有效降低功率损耗，提升系统效率。器件适用于高频率开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效能电力电子设备。在合理驱动条件下，可实现快速开关响应与良好的热稳定性，满足对紧凑布局和高可靠性有要求的电路设计需求。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: ISC080N10NM6ATMA1-HXY
商品编号: C53262890
商品封装: DFN-8L(5x6)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.152525克(g)

商品参数