HCS65R320S-FM-HXY

HCS65R320S-FM-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和15A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定驱动与过压保护。采用碳化硅材料，具备优异的高频开关性能和高温工作能力。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、光伏逆变单元、储能系统中的DC-DC变换器以及高性能电机驱动电路，有助于提升系统能效与功率密度，满足紧凑型高功率应用需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

HCS65R320S-FM-HXY

商品编号

C52098361

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)