FCPF260N60E-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定可靠的开关控制。得益于碳化硅材料特性，器件具有优异的高温工作能力与开关速度，可显著降低系统能耗并提升功率密度。典型应用包括高频直流变换器、电源模块及高效能适配器等对热性能和电气性能要求较高的场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCPF260N60E-HXY

商品编号

C52098389

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)