IPA65R190CFDXKSA2-HXY

IPA65R190CFDXKSA2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）典型值为160mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的高开关速度与耐高温特性，该器件适用于高频率、高效率的功率转换电路，如大功率开关电源、光伏逆变装置及高密度电源系统，能够满足对能效和功率密度有较高要求的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R190CFDXKSA2-HXY

商品编号

C52098408

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)