IPA65R190CFDXKSA1-HXY

IPA65R190CFDXKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的开关特性与热稳定性。基于碳化硅材料的特性，器件支持高频工作，有效降低开关损耗，适用于高密度电源系统中的升压、降压及DC-DC转换电路，尤其适合对功率密度和能效有较高要求的电力电子应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R190CFDXKSA1-HXY

商品编号

C52098410

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)