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IPD65R190C7ATMA1-HXY

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高频开关性能与高温工作能力。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源（UPS）、储能系统中的DC-DC变换器及光伏逆变模块，有助于提升系统能效并减小被动器件体积。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IPD65R190C7ATMA1-HXY
商品编号: C52098432
商品封装: TO-252-2L
包装方式: 编带
商品毛重: 0.4克(g)

商品参数

参数完善中