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IPD65R190C7ATMA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备650V漏源击穿电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。采用宽禁带半导体材料，具有优异的高频开关性能与高温工作能力。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、不间断电源（UPS）、储能系统中的DC-DC变换器及光伏逆变模块，有助于提升系统能效并减小被动器件体积。
- 商品型号
- IPD65R190C7ATMA1-HXY
- 商品编号
- C52098432
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |