SIHD240N65E-GE3-HXY

SIHD240N65E-GE3-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为160mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围，确保开关动作的稳定性与可靠性。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐高温性能和快速开关特性，适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用涵盖高压电源、可再生能源逆变系统、储能设备中的功率变换模块，以及对功率密度和热管理有较高要求的电子设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SIHD240N65E-GE3-HXY

商品编号

C52098435

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.402克(g)