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SIHD240N65E-GE3-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、低导通电阻
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为160mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围，确保开关动作的稳定性与可靠性。采用碳化硅材料，器件具有优异的耐高温性能和快速开关特性，适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用涵盖高压电源、可再生能源逆变系统、储能设备中的功率变换模块，以及对功率密度和热管理有较高要求的电子设备。
- 商品型号
- SIHD240N65E-GE3-HXY
- 商品编号
- C52098435
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |
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