STD18N65M5-HXY

STD18N65M5-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高温工作能力与快速开关性能，适用于高频率、高效率的电力转换应用。典型使用场景包括高压直流变换器、不间断电源系统、可再生能源发电设备中的逆变单元以及对功率密度和热管理要求较高的紧凑型电子装置。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STD18N65M5-HXY

商品编号

C52098436

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.402克(g)