IPD60R210PFD7S-HXY

IPD60R210PFD7S-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的开关特性与热稳定性。得益于碳化硅材料的优异性能，该器件可在高频、高温环境下可靠运行，广泛用于电源转换、可再生能源逆变系统及高密度电源模块中，能够有效降低开关损耗，提升系统整体能效。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD60R210PFD7S-HXY

商品编号

C52098437

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)