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DI018N65D1-HXY
SiC功率N沟道增强型MOSFET，具备高速开关、高耐压、易驱动并联、低结温和热阻、高抗EMI能力等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源耐压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，可有效减少导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，确保栅极驱动的稳定性与器件可靠性。基于碳化硅材料特性，该器件支持高频开关操作，具备优异的热性能和耐压能力。适用于高功率密度电源系统，如通信电源、大功率适配器、数据中心电源模块以及可再生能源发电中的逆变与转换电路，能够提升系统转换效率并降低散热设计复杂度。
- 商品型号
- DI018N65D1-HXY
- 商品编号
- C52098433
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |