IPD65R225C7ATMA1-HXY

IPD65R225C7ATMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，可有效降低开关与导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的特性，器件具备优异的高频开关能力与热稳定性，适用于高功率密度的电源转换设计。典型应用包括高效直流-直流变换器、功率因数校正电路及高压电源模块，适合对能效与系统体积有较高要求的电力电子场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R225C7ATMA1-HXY

商品编号

C52098434

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.404克(g)