IXFP18N65X2M-HXY

IXFP18N65X2M-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升能效。栅源电压（VGS）支持-5V至+16V范围，具备良好的驱动兼容性与开关稳定性。依托碳化硅材料的高耐压、低反向恢复电荷特性，器件适用于高频、高效率的电力转换拓扑，如PFC电路、DC-AC逆变装置及高功率密度电源模块，可在严苛工作条件下实现优异的热性能与系统可靠性。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXFP18N65X2M-HXY

商品编号

C52098417

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)