IPAW60R280CE-HXY

IPAW60R280CE-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，可显著降低功率损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，确保栅极驱动的可靠性与灵活性。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，该器件支持高频开关操作，具备优异的耐高温性能和动态响应能力。适用于高功率密度电源系统，如大功率开关电源、高效逆变装置及可再生能源能量转换平台，有助于提升系统整体效率与热管理表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPAW60R280CE-HXY

商品编号

C52098424

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)