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- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPAW60R280CE-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强型，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具备650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，可显著降低功率损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，确保栅极驱动的可靠性与灵活性。依托碳化硅材料的高临界电场与高热导率特性，该器件支持高频开关操作，具备优异的耐高温性能和动态响应能力。适用于高功率密度电源系统，如大功率开关电源、高效逆变装置及可再生能源能量转换平台，有助于提升系统整体效率与热管理表现。
- 商品型号
- IPAW60R280CE-HXY
- 商品编号
- C52098424
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@15V |
商品特性
- 高速开关与低电容
- 高阻断电压与低导通电阻
- 易于驱动和并联
- 有效降低结温和热阻，高抗电磁干扰能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 电源逆变器
- 高压直流/直流转换器