FCD260N65S3-HXY

FCD260N65S3-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为160mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定驱动与过压保护。碳化硅材料赋予器件优异的高频开关特性、高温工作稳定性及快速响应能力，适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括大功率开关电源、可再生能源发电逆变单元、储能系统功率模块及高密度电力变换装置，满足对小型化、高可靠性和低损耗的电路需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCD260N65S3-HXY

商品编号

C52098427

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.4克(g)