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FCD260N65S3-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、低导通电阻
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻为160mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定驱动与过压保护。碳化硅材料赋予器件优异的高频开关特性、高温工作稳定性及快速响应能力，适用于高效率电源转换设计。典型应用场景包括大功率开关电源、可再生能源发电逆变单元、储能系统功率模块及高密度电力变换装置，满足对小型化、高可靠性和低损耗的电路需求。
- 商品型号
- FCD260N65S3-HXY
- 商品编号
- C52098427
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |