IPAN60R280PFD7S-HXY

IPAN60R280PFD7S-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定栅极驱动控制。基于碳化硅材料特性，器件具有优异的高频开关能力与高温工作稳定性，适用于高效率功率变换拓扑，如高频DC-DC转换器、大功率AC-DC电源模块及可再生能源发电系统中的逆变单元，有助于提升系统功率密度与能量转换效率。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPAN60R280PFD7S-HXY

商品编号

C52098423

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)