STFH18N60M2-HXY
STFH18N60M2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压(VDSS)和20A的连续漏极电流(ID),导通电阻低至160mΩ,适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V,具备良好的栅极控制特性与开关稳定性。采用宽禁带半导体材料,可实现高频工作与更低开关损耗,适合用于高密度电源系统、可再生能源逆变装置及高性能直流变换电路中的核心开关元件,支持紧凑型散热设计,提升整体系统能效与可靠性。
- 商品型号
- STFH18N60M2-HXY
- 商品编号
- C52098422
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
