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IPA60R280P7SXKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源电压（VDSS）与20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻低至160mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的高耐压与低损耗特性，该器件适用于高频、高效率的功率转换设计。典型应用包括大功率开关电源、可再生能源发电中的直流变换装置、储能系统的功率调节模块以及高密度电源适配与能量管理设备。
- 商品型号
- IPA60R280P7SXKSA1-HXY
- 商品编号
- C52098421
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@15V |
商品特性
- 高速开关与低电容
- 高阻断电压与低导通电阻
- 易于驱动和并联
- 有效降低结温和热阻，高抗电磁干扰能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 功率因数校正模块
- 开关模式电源
- 功率逆变器
- 高压直流/直流转换器