IPD65R250E6XTMA1-HXY

IPD65R250E6XTMA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具有650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的栅极可靠性与开关特性。基于碳化硅材料的特性，该器件可在高频、高温环境下稳定工作，适用于高密度电源系统、可再生能源逆变装置、服务器电源模块及高要求的开关电源拓扑，如图腾柱PFC和LLC谐振转换器，有助于提升系统整体能效与功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPD65R250E6XTMA1-HXY

商品编号

C52098431

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.404克(g)