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IPP65R190C6XKSA1-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻，易驱动并联，抗EMI能力强
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- 描述
- 本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定的驱动控制与过压保护。依托碳化硅材料的高临界电场和热导率特性，该器件具备优异的高温工作稳定性与高频开关能力，适用于高功率密度的电源系统，如高效AC-DC电源、DC-DC变换器及光伏逆变模块，满足对能效与散热性能要求较高的电力电子设计需求。
- 商品型号
- IPP65R190C6XKSA1-HXY
- 商品编号
- C52098412
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |
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