IPP65R190C6XKSA1-HXY

IPP65R190C6XKSA1-HXY

描述

本款N沟道碳化硅场效应管具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为160mΩ，有助于降低导通损耗并提升系统效率。栅源电压范围-5V至+16V，支持稳定的驱动控制与过压保护。依托碳化硅材料的高临界电场和热导率特性，该器件具备优异的高温工作稳定性与高频开关能力，适用于高功率密度的电源系统，如高效AC-DC电源、DC-DC变换器及光伏逆变模块，满足对能效与散热性能要求较高的电力电子设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R190C6XKSA1-HXY

商品编号

C52098412

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)