FCPF190N65S3R0L-HXY

FCPF190N65S3R0L-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDON）低至160mΩ，可有效降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极控制。基于碳化硅材料的特性，该器件具有优异的耐高温性能和快速开关能力，适用于高频率、高效率的电力转换场景。典型应用包括高效电源模块、可再生能源发电单元、储能系统的能量变换装置以及高密度DC-DC和DC-AC转换电路，有助于提升系统整体能效和功率密度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

FCPF190N65S3R0L-HXY

商品编号

C52098414

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)