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NVD260N65S3T4G-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强型，高速开关、低电容、高耐压、易驱动和并联
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- 描述
- 该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定可靠的栅极控制。得益于碳化硅材料的特性，该器件可在较高温度下运行，具有优异的开关性能和耐压能力，适用于高频率、高功率密度的电源系统，如高效能交直流转换装置、可再生能源逆变设备及高功率密度电源模块，有助于提升系统整体能效并减小散热设计负担。
- 商品型号
- NVD260N65S3T4G-HXY
- 商品编号
- C52098428
- 商品封装
- TO-252-2L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.402克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |