NVD260N65S3T4G-HXY

NVD260N65S3T4G-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了稳定可靠的栅极控制。得益于碳化硅材料的特性，该器件可在较高温度下运行，具有优异的开关性能和耐压能力，适用于高频率、高功率密度的电源系统，如高效能交直流转换装置、可再生能源逆变设备及高功率密度电源模块，有助于提升系统整体能效并减小散热设计负担。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVD260N65S3T4G-HXY

商品编号

C52098428

商品封装

TO-252-2L​

包装方式

编带

商品毛重

0.402克(g)