IPA65R225C7XKSA1-HXY

IPA65R225C7XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）典型值为160mΩ，有助于降低导通损耗。栅源电压范围为-5V至+16V，具备良好的驱动兼容性与抗干扰能力。基于碳化硅材料的优异特性，该器件支持高频开关操作，同时具备出色的热稳定性和耐压能力。适用于高效率电源转换系统，如大功率开关电源、储能系统中的能量双向变换、光伏逆变模块及高功率密度DC-DC变换器等应用场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPA65R225C7XKSA1-HXY

商品编号

C52098420

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)