R6520KNXC7G-HXY

R6520KNXC7G-HXY

描述

该N沟道碳化硅场效应管具备650V的漏源电压（VDSS）和20A的连续漏极电流（ID），导通电阻低至160mΩ，适用于高效率功率转换设计。其栅源电压范围为-5V至+16V，确保了器件在复杂工况下的稳定开关特性。得益于碳化硅材料的优异性能，该器件具有出色的耐压能力、较低的开关损耗和良好的高温工作稳定性，可广泛应用于高效电源系统、可再生能源逆变装置及高密度功率模块中，满足对小型化与高能效有要求的电路设计需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6520KNXC7G-HXY

商品编号

C52098425

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)