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R6520ENXC7G-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，高速开关、低电容、高耐压、低导通电阻
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- 描述
- 本N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的高开关速度与耐高温特性，该器件适用于高频率、高效率的电力电子应用，如高压DC-DC转换器、不间断电源、可再生能源发电中的逆变电路以及高功率密度电源系统，有助于实现更紧凑的设计与更高的能量转换效率。
- 商品型号
- R6520ENXC7G-HXY
- 商品编号
- C52098418
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 耗散功率(Pd) | 52W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC | |
| 输入电容(Ciss) | 208pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 18pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ |
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