R6520ENXC7G-HXY

R6520ENXC7G-HXY

描述

本N沟道碳化硅MOSFET具有650V漏源电压（VDSS）和20A连续漏极电流（ID）能力，导通电阻（RDS(on)）低至160mΩ，可有效减少导通损耗，提升系统能效。栅源电压范围为-5V至+16V，支持稳定可靠的栅极驱动控制。基于碳化硅材料的高开关速度与耐高温特性，该器件适用于高频率、高效率的电力电子应用，如高压DC-DC转换器、不间断电源、可再生能源发电中的逆变电路以及高功率密度电源系统，有助于实现更紧凑的设计与更高的能量转换效率。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6520ENXC7G-HXY

商品编号

C52098418

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)